PN8161通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的優(yōu)秀效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現(xiàn)，驪微電子代理的PN8161廣泛被應用于充電器、適配器、開放式開關電源等領域。

PN8161高性能準諧振交直流轉換芯片內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。

谷底開通
PN8161是一款工作于準諧振模式的集成芯片，通過DMG檢測到的消磁信號實現(xiàn)精確谷底開
通，以提高系統(tǒng)的轉換效率。在PWM模式，由第一谷底產生開啟信號，工作頻率由系統(tǒng)設計的變壓器參數(shù)決定，高工作頻率限制在125kHz。
過溫保護
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測MOSFET的溫度。當溫度超
145℃，芯片進入過溫保護狀態(tài)。
降頻工作模式
PN8161提供降頻工作模式，通過檢測FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開關頻率以提高輕載效率。當FB腳電壓小于 V FB_PFM ，芯片進入降頻工作模式，開關頻率隨負載降低而降低，直至小頻率25kHz。

軟啟動
啟動階段，漏極的大峰值電流限制逐步的提高；可以大大減小器件的應力，防止變壓器飽和。軟啟動時間典型值為3.2ms。
輸出驅動
PN8161采用優(yōu)化的圖騰柱結構驅動技術，通過合理的輸出驅動能力以及死區(qū)時間，得到較好的EMI特性和較低損耗。
PN8161功能描述:
啟動：
在啟動階段，內部高壓啟動管提供1mA電流對外部V DD 電容進行充電。當V DD 電壓達到 VDDon ，芯片開始工作；高壓啟動管停止對V DD 電容充電。啟動過程結束后，變壓器輔助繞組對V DD 電容提供能量。

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